Références fabricant

MOSFET de puissance TrenchFET 1 canal Type P Simple Vishay 120 A 60 V, 3 broches, TO-263 SQM AEC-Q101

Code commande RS:: 180-7405
Référence fabricant:: SQM120P06-07L_GE3
Marque:: Vishay

MOSFET de puissance TrenchFET 1 canal Type P Simple Vishay 120 A 60 V, 3 broches, TO-263 SQM AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

1 363,20 €

1 636,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

800 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
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Unité	Prix par unité	la bobine*
800 +	1,704 €	1 363,20 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-7405
Référence fabricant:: SQM120P06-07L_GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET de puissance TrenchFET
	Courant continu de Drain maximum Id	120A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-263
	Série	SQM
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.0067Ω
	Dissipation de puissance maximum Pd	375W
	Tension directe Vf	1.5V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	270nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Configuration du transistor	Simple
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	AEC-Q101, RoHS
	Largeur	0.41pouce
	Longueur	0.625pouce
	Hauteur	0.19pouce
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET de puissance TrenchFET
	Courant continu de Drain maximum Id 120A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-263
	Série SQM
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.0067Ω
	Dissipation de puissance maximum Pd 375W
	Tension directe Vf 1.5V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 270nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Configuration du transistor Simple
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations AEC-Q101, RoHS
	Largeur 0.41pouce
	Longueur 0.625pouce
	Hauteur 0.19pouce
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Transistor MOSFET de Vishay

Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 6,7 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Sa puissance dissipée maximale est de 375 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages

Composant sans halogène et plomb (Pb)

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.

Boîtier à faible résistance thermique

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Applications

• Commutateurs d'adaptateur

• Commutateurs de charge

• Ordinateurs portables

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