MOSFET canal N Vishay 8 A 60 V Enrichissement, 6 broches, TSOP-6 TrenchFET
- Code commande RS:
- 904-971
- Référence fabricant:
- SI3462DV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 904-971
- Référence fabricant:
- SI3462DV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TSOP-6 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.023Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 4.2W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | ROHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TSOP-6 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.023Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 4.2W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations ROHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le MOSFET de puissance Vishay offre des performances exceptionnelles pour les applications de commutation, fournissant un contrôle fiable dans les circuits électroniques exigeants et garantissant un fonctionnement efficace dans divers environnements.
La structure à canal N permet une commutation efficace avec une résistance à l'état passant minimale
La tension nominale maximale drain-source de 60 V améliore la polyvalence de l'application
La faible tension de seuil de source-grille garantit la compatibilité avec une large gamme de circuits d'entraînement
Optimisé pour les performances thermiques avec une faible résistance thermique, améliorant l'efficacité
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