MOSFET canal N Vishay 9 A 60 V Enrichissement, 6 broches, PowerPAK TrenchFET

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Code commande RS:
904-973
Référence fabricant:
SIA4620DJ-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

PowerPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.023Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.4nC

Dissipation de puissance maximum Pd

17.9W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

2.05mm

Normes/homologations

ROHS

Longueur

2.05mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'énergie. Il excelle dans diverses applications grâce à ses mesures hautes performances et à son emballage compact, ce qui le rend idéal pour les conceptions électroniques modernes.

Fonctionne à une tension drain-source maximale de 60 V

Faible résistance à l'état passant pour une meilleure efficacité

Offre un courant de drainage continu jusqu'à 8,6 A à 25 °C

Comprend des tests approfondis pour la fiabilité et les performances

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