MOSFET canal N Vishay 225 A 100 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) TrenchFET

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Code commande RS:
228-2893
Référence fabricant:
SIJH112E-T1-GE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

225A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

PowerPAK (8x8L)

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0028Ω

Mode de canal

Enrichissement

Le canal N TrenchFET de Vishay est un MOSFET de 100 V.

Testé UIS et 100 % Rg

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.