Références fabricant

MOSFET canal N Vishay 225 A 100 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) TrenchFET

Code commande RS:: 228-2893
Référence fabricant:: SIJH112E-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET canal N Vishay 225 A 100 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) TrenchFET

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Code commande RS:: 228-2893
Référence fabricant:: SIJH112E-T1-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum (Id)	225 A
	Tension Drain Source maximum (Vds)	100 V
	Mode de canal	Enrichissement
	Nombre de broches	4
	Type de Boitier	PowerPAK (8x8L)
	Série	TrenchFET
	Résistance Drain Source maximum (Rds)	0.0028 Ω
	Type de montage	En surface

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum (Id) 225 A
	Tension Drain Source maximum (Vds) 100 V
	Mode de canal Enrichissement
	Nombre de broches 4
	Type de Boitier PowerPAK (8x8L)
	Série TrenchFET
	Résistance Drain Source maximum (Rds) 0.0028 Ω
	Type de montage En surface

Datasheet - SIJH112E-T1-GE3

The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.