MOSFET canal N Vishay 437 A 60 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) TrenchFET
- Code commande RS:
- 735-199
- Référence fabricant:
- SIJH602E-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 22,10 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
5,81 €
HT
6,97 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 5,81 € | - |
| 10 - 49 | 3,60 € | 22,10 € |
| 50 - 99 | 2,78 € | 151,50 € |
| 100 + | 2,14 € | 367,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 735-199
- Référence fabricant:
- SIJH602E-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 437A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK (8x8L) | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00115Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 130nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 333W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 8mm | |
| Largeur | 7.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 437A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK (8x8L) | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00115Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 130nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 333W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 8mm | ||
Largeur 7.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 225 A 100 V Enrichissement PowerPAK (8x8L) TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 174 A 150 V Enrichissement PowerPAK (8x8L) SIJH
- MOSFET canal N Vishay 14 A 60 V Enrichissement PowerPAK TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 9 A 60 V Enrichissement PowerPAK TrenchFET
- MOSFET P Vishay 23 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 30 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 45.3 A 70 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET