MOSFET canal N Vishay 30 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET
- Code commande RS:
- 787-9409
- Référence fabricant:
- SISA10DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
10,36 €
HT
12,43 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 09 décembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,036 € | 10,36 € |
| 100 - 240 | 0,854 € | 8,54 € |
| 250 - 490 | 0,834 € | 8,34 € |
| 500 - 990 | 0,81 € | 8,10 € |
| 1000 + | 0,791 € | 7,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 787-9409
- Référence fabricant:
- SISA10DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -16V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -16V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.4mm | ||
Longueur 3.4mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 30 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 23 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 185.6 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 67.4 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Non
- MOSFET canal N Vishay 45.3 A 70 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 42.3 A 70 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 27 A 20 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET