MOSFET canal N Vishay 67.4 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 228-2928
- Référence fabricant:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 228-2928
- Référence fabricant:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 67.4 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 30 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8SH | |
| Série | TrenchFET | |
| Standard automobile | Non | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 3.25 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | 16 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 26.5 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | En surface | |
| Normes/homologations | No | |
| Charge de porte typique (Qg) @ Vgs | 16.6 nC | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 67.4 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 30 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 8 | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8SH | ||
Série TrenchFET | ||
Standard automobile Non | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 3.25 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) 16 V | ||
Température d'utilisation maximum 150 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 26.5 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage En surface | ||
Normes/homologations No | ||
Charge de porte typique (Qg) @ Vgs 16.6 nC | ||
The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 67.4 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Non
- MOSFET P Vishay -104 A -20 V Enrichissement PowerPAK 1212-8SH TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 67.4 A 70 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiSS76LDN
- MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212-8SH SiSHA04DN
- MOSFET P Vishay 23 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 30 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 45.3 A 70 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET