MOSFET P Vishay -104 A -20 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET

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Code commande RS:
735-266
Référence fabricant:
SISH521EDN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Canal P

Courant continu de Drain maximum Id

-104A

Tension Drain Source maximum Vds

-20V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

PowerPAK 1212-8SH

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.006Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

102nC

Dissipation de puissance maximum Pd

52W

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Longueur

3.4mm

Largeur

3.4mm

Hauteur

980μm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

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