MOSFET P Vishay 127.5 A 20 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET Gen III
- Code commande RS:
- 200-6848
- Référence fabricant:
- SiSS63DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 530,00 €
HT
1 830,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,51 € | 1 530,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6848
- Référence fabricant:
- SiSS63DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 127.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | TrenchFET Gen III | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65.8W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 236nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Hauteur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 127.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série TrenchFET Gen III | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65.8W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 236nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.3mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Hauteur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay SiSS63DN-T1-GE3 est un transistor MOSFET à canal P 20 V (D-S).
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