MOSFET P Vishay 35 A 20 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Gen III

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Code commande RS:
814-1304
Référence fabricant:
SIS415DNT-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

35A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

TrenchFET Gen III

Type de Boitier

PowerPAK 1212-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0095Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

52W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

55.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.4mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

3.4mm

Hauteur

0.8mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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