MOSFET canal N Vishay 108 A 45 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET Gen IV
- Code commande RS:
- 200-6846
- Référence fabricant:
- SISS50DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 200-6846
- Référence fabricant:
- SISS50DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 108A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 45V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Série | TrenchFET Gen IV | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65.7W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 3.3mm | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 108A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 45V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Série TrenchFET Gen IV | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65.7W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 3.3mm | ||
Longueur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay SISS50DN-T1-GE3 est un transistor MOSFET à canal N de 45 V (D-S).
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Très faible RDS(on) dans un boîtier compact et à rendement thermique amélioré
Le rapport Qg, Qgd et Qgd/Qgs optimisé réduit la perte de puissance liée à la commutation
Testé Rg et UIS à 100 %
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