MOSFET canal N Vishay 14 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK TrenchFET
- Code commande RS:
- 904-972
- Référence fabricant:
- SI7120BDN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 904-972
- Référence fabricant:
- SI7120BDN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 14A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.021Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 19.8W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | ROHS | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 14A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.021Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 19.8W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Normes/homologations ROHS | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation, offrant des performances améliorées dans diverses applications électroniques grâce à des caractéristiques avancées et une fiabilité robuste.
La technologie TrenchFET Gen IV optimise l'efficacité et réduit la perte de puissance
Testé à 100 % pour R et UIS, garantissant une fiabilité constante
La structure sans plomb (Pb) respecte les normes environnementales
Caractéristiques de commutation optimisées pour les applications à grande vitesse
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