MOSFET 2 canal N Double Vishay 125 A 30 V, 12 broches, PowerPAIR 3 x 3FS SiZF5300DT Non

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252-0293
Référence fabricant:
SIZF5300DT-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

125A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

SiZF5300DT

Type de Boitier

PowerPAIR 3 x 3FS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

12

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00351Ω

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.5nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

56.8W

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Normes/homologations

No

Longueur

3.3mm

Hauteur

3.3mm

Largeur

3.3mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

La gamme de produits MOSFET Siliconix de Vishay inclut une gamme diversifiée de technologies avancées. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. Il s'agit d'un type de canal plus répandu. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à la borne de grille.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET Gen V

Double canal N symétrique

Conception thermique optimale avec technologie Flip Chip

Transistors MOSFET côté haut et côté bas optimisés

Combinaison pour 50 % de cycle de service

RDS optimisé - Qg et RDS - Qgd FOM pour une efficacité accrue

Pour commutateur haute fréquence

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