MOSFET canal N Vishay 208 A 45 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK TrenchFET

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Code commande RS:
904-977
Référence fabricant:
SIR608DP-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

208A

Tension Drain Source maximum Vds

45V

Type de Boitier

PowerPAK

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0012Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

50.5nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.15mm

Normes/homologations

ROHS

Largeur

5.15mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET de puissance Vishay est conçu pour des performances efficaces dans les applications à haute puissance, offrant une gestion fiable de la tension drain-source et du courant. Il joue un rôle crucial dans l'amélioration du rendement énergétique des systèmes électroniques.

Conception à canal N pour une conductivité et des performances optimisées

La tension nominale maximale drain-source de 45 V garantit un fonctionnement robuste

La faible résistance à l'état passant améliore l'efficacité énergétique et les performances thermiques

Intégré avec une valeur nominale d'avalanche pour protéger contre les pics de tension excessifs

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