MOSFET canal N Vishay 208 A 45 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK TrenchFET
- Code commande RS:
- 904-976
- Référence fabricant:
- SIR608DP-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 904-976
- Référence fabricant:
- SIR608DP-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 208A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 45V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0012Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 50.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Normes/homologations | ROHS | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 208A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 45V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0012Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 50.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.15mm | ||
Normes/homologations ROHS | ||
Largeur 5.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le MOSFET de puissance Vishay est conçu pour fournir une commutation efficace et une haute densité de puissance. Avec un profil de performance robuste, il se caractérise par une faible résistance à l'état passant, garantissant un fonctionnement optimal dans les applications de convertisseurs c. c. /c. c.
La conception TrenchFET Gen IV garantit une excellente efficacité
Tension de rupture drain-source de 45 V pour des performances fiables
Faible résistance à l'état passant de 0,00 à 10 V
Courant de drain continu robuste de 208 A à 25 °C
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