MOSFET de puissance canal N Vishay 40 A 80 V N, 8 broches, PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 851-502
- Référence fabricant:
- SIR178DP-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
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Ruban(s) | le ruban |
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- Code commande RS:
- 851-502
- Référence fabricant:
- SIR178DP-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0029Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Longueur | 6.05mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 Qualified | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0029Ω | ||
Mode de canal N | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Longueur 6.05mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 Qualified | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- TW
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute performance de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'énergie. Sa fonction principale est d'optimiser la conduction avec une faible perte de puissance, ce qui le rend adapté à diverses applications d'alimentation.
La technologie TrenchFET Gen IV garantit des performances supérieures
La résistance à l'état passant extrêmement faible minimise les pertes de conduction
Prend en charge l'entraînement de grille basse tension pour une efficacité accrue
Entièrement testé pour la fiabilité dans des conditions R et UIS
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