MOSFET de puissance canal N Vishay 100 A 60 V N, 8 broches, PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 851-506
- Référence fabricant:
- SIR692DP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,68 € |
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| 100 - 499 | 1,19 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 851-506
- Référence fabricant:
- SIR692DP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0048Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 63.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 Qualified | |
| Longueur | 6.05mm | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0048Ω | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 63.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 Qualified | ||
Longueur 6.05mm | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le transistor MOSFET haute performance de Vishay est conçu pour des capacités de commutation efficaces dans les applications de gestion de l'alimentation. Sa construction robuste garantit une fiabilité et une fonctionnalité optimale dans divers environnements exigeants.
Configuration à canal N offrant une efficacité opérationnelle supérieure
La technologie ThunderFET améliore les performances en optimisant l'équilibre des caractéristiques de résistance à l'état passant et de commutation
Offre une tension drain-source maximale de 250 V, garantissant l'adéquation pour les applications haute tension
Conçu avec un courant de drain continu maximal de 24,2 A, pour s'adapter à des conditions de charge étendues
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