MOSFET de puissance canal N Vishay 42.3 A 70 V N, 8 broches, PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 851-508
- Référence fabricant:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 851-508
- Référence fabricant:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 42.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 70V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0125Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.05mm | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 Qualified | |
| Largeur | 5.25mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 42.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 70V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0125Ω | ||
Mode de canal N | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.05mm | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 Qualified | ||
Largeur 5.25mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay offre un haut rendement dans la gestion de l'alimentation, avec une construction robuste qui prend en charge diverses exigences électriques dans les applications électroniques avancées.
La technologie TrenchFET Gen IV améliore les performances
Très faible R DS(on) à différentes tensions de grille garantissant l'efficacité
Des tests complets garantissent la fiabilité en fonctionnement
Composition sans plomb (Pb) et sans halogène conforme aux normes environnementales
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