MOSFETs simples canal N Vishay 42.3 A 70 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SISS176LDN

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1 278,00 €

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Proposition de remplacement

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Code commande RS:
653-099
Référence fabricant:
SISS176LDN-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFETs simples

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

42.3A

Tension Drain Source maximum Vds

70V

Type de Boitier

PowerPAK

Série

SISS176LDN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0125Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.2nC

Dissipation de puissance maximum Pd

39W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.3mm

Normes/homologations

No

Hauteur

410μm

Longueur

3.3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N TrenchFET Gen IV de Vishay est doté d'une tension de drain-source de 70 V et d'un courant de drain continu de 42,3 A. Il est doté d'un boîtier compact PowerPAK 1212-8S à montage en surface, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs c.c./c.c., le redressement synchrone, la commande de moteur et la commutation de charge.

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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