MOSFETs simples canal N Vishay 81 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SiR870BDP
- Code commande RS:
- 653-201
- Référence fabricant:
- SIR870BDP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 653-201
- Référence fabricant:
- SIR870BDP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 81A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | SiR870BDP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0061Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 73nC | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Hauteur | 0.61mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 81A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série SiR870BDP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0061Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 73nC | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.15mm | ||
Hauteur 0.61mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour la commutation à haut rendement dans les systèmes d'alimentation compacts. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 100 V. Emballé dans PowerPAK SO-8, il utilise la technologie TrenchFET Gen IV pour fournir un faible RDS(on), une commutation rapide et des performances thermiques optimisées.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
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