MOSFETs simples canal N Vishay 81 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SiR870BDP

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Code commande RS:
653-199
Référence fabricant:
SIR870BDP-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFETs simples

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

81A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

SiR870BDP

Type de Boitier

PowerPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0061Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

73nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

100W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.15mm

Longueur

6.15mm

Normes/homologations

No

Hauteur

0.61mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour la commutation à haut rendement dans les systèmes d'alimentation compacts. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 100 V. Emballé dans PowerPAK SO-8, il utilise la technologie TrenchFET Gen IV pour fournir un faible RDS(on), une commutation rapide et des performances thermiques optimisées.

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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