MOSFETs simples canal N Vishay 42.3 A 70 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SISS176LDN
- Code commande RS:
- 653-100
- Référence fabricant:
- SISS176LDN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 25 de plus pour économiser 2%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
0,94 €
HT
1,13 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 24 | 0,94 € | - |
| 25 - 99 | 0,92 € | 2% |
| 100 - 499 | 0,90 € | 4% |
| 500 - 999 | 0,77 € | 18% |
| 1000 + | 0,73 € | 22% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 653-100
- Référence fabricant:
- SISS176LDN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 42.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 70V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | SISS176LDN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0125Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Hauteur | 410μm | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 42.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 70V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série SISS176LDN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0125Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.3mm | ||
Hauteur 410μm | ||
Longueur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N TrenchFET Gen IV de Vishay est doté d'une tension de drain-source de 70 V et d'un courant de drain continu de 42,3 A. Il est doté d'un boîtier compact PowerPAK 1212-8S à montage en surface, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs c.c./c.c., le redressement synchrone, la commande de moteur et la commutation de charge.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFETs simples canal N Vishay 42.3 A 70 V Enrichissement PowerPAK SISS176LDN
- MOSFET canal N Vishay 42.3 A 70 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET de puissance canal N Vishay 42.3 A 70 V N PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFETs simples canal N Vishay 45.3 A 70 V Enrichissement PowerPAK SISS178LDN
- MOSFET canal N Vishay 208 A 45 V Enrichissement PowerPAK TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 55 A 100 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS
- MOSFETs simples canal N Vishay 81 A 100 V Enrichissement PowerPAK SiR870BDP
- MOSFET canal N Vishay 91 A 60 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS