MOSFETs simples canal N Vishay 45.3 A 70 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SISS178LDN

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Code commande RS:
653-102
Référence fabricant:
SISS178LDN-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFETs simples

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

45.3A

Tension Drain Source maximum Vds

70V

Type de Boitier

PowerPAK

Série

SISS178LDN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0135Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.7nC

Dissipation de puissance maximum Pd

39W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N TrenchFET Gen IV de Vishay est évalué pour une tension de drain-source de 70 V. Emballé dans un PowerPAK 1212-8S compact, il est idéal pour les solutions d'alimentation de serveur AI, les convertisseurs c.c./c.c. et la commutation de charge.

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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