MOSFETs simples canal N Vishay 45.3 A 70 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SISS178LDN

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Code commande RS:
653-102
Référence fabricant:
SISS178LDN-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

45.3A

Tension Drain Source maximum Vds

70V

Type de Boitier

PowerPAK

Série

SISS178LDN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0135Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

39W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.7nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N TrenchFET Gen IV de Vishay est évalué pour une tension de drain-source de 70 V. Emballé dans un PowerPAK 1212-8S compact, il est idéal pour les solutions d'alimentation de serveur AI, les convertisseurs c.c./c.c. et la commutation de charge.

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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