MOSFETs simples canal N Vishay 45.3 A 70 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SISS178LDN
- Code commande RS:
- 653-101
- Référence fabricant:
- SISS178LDN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*
1 473,00 €
HT
1 767,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,491 € | 1 473,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 653-101
- Référence fabricant:
- SISS178LDN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 70V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | SISS178LDN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0135Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 70V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série SISS178LDN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0135Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N TrenchFET Gen IV de Vishay est évalué pour une tension de drain-source de 70 V. Emballé dans un PowerPAK 1212-8S compact, il est idéal pour les solutions d'alimentation de serveur AI, les convertisseurs c.c./c.c. et la commutation de charge.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
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