MOSFETs simples canal N Vishay 45.3 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIR5812DP
- Code commande RS:
- 653-197
- Référence fabricant:
- SIR5812DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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1 482,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,494 € | 1 482,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 653-197
- Référence fabricant:
- SIR5812DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | SIR5812DP | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0135Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 50W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série SIR5812DP | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0135Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 50W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.15mm | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N TrenchFET Gen V de Vishay est homologué pour une tension de drain-source de 80 V. Emballé dans un PowerPAK SO-8, il est idéal pour les convertisseurs c.c./c.c., la rectification synchrone, la commande de moteur et la commutation à chaud.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
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