MOSFETs simples canal N Vishay 45.3 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIR5812DP

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Code commande RS:
653-198
Référence fabricant:
SIR5812DP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFETs simples

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

45.3A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

PowerPAK

Série

SIR5812DP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0135Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

50W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5.15mm

Hauteur

1.04mm

Largeur

6.15mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N TrenchFET Gen V de Vishay est homologué pour une tension de drain-source de 80 V. Emballé dans un PowerPAK SO-8, il est idéal pour les convertisseurs c.c./c.c., la rectification synchrone, la commande de moteur et la commutation à chaud.

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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