MOSFET canal N Vishay 153 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SiD
- Code commande RS:
- 735-134
- Référence fabricant:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 735-134
- Référence fabricant:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 153A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Série | SiD | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0029Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Tension directe Vf | 80V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 37.3nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 7mm | |
| Largeur | 6mm | |
| Hauteur | 2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 153A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Série SiD | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0029Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Tension directe Vf 80V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 37.3nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 7mm | ||
Largeur 6mm | ||
Hauteur 2mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué à une tension drain-source de 80 V pour une conversion de puissance à haut rendement dans les applications de serveur d'IA et de centre de données. Il est doté d'une très faible résistance à l'état passant de 2,9 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour réduire les pertes de conduction dans les topologies buck synchrones.
Courant de drain continu de 153 A à TC = 25 °C
Charge de grille totale typique de 28 nC pour une commutation rapide
Plage de températures étendue de -55 à +175 °C
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