MOSFET canal N Vishay 291 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SiD

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Code commande RS:
735-145
Référence fabricant:
SIDR402EP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

291A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Série

SiD

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00088Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

110nC

Tension directe Vf

40V

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

7mm

Hauteur

2mm

Largeur

6mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 40 V. Il est conçu pour le redressement synchrone à haut rendement dans les convertisseurs DC/DC des serveurs d'alimentation d'IA. Il fournit une résistance à l'état passant ultra-faible d'environ 0,88 mΩ à une commande de grille de 10 V pour minimiser les pertes de conduction dans les étapes de puissance à courant élevé.

Courant de drainage continu de 65 A à TA = 25 °C

Faible valeur RDS(on) x Qg pour une commutation optimale

Qualification de la classification des matériaux pour la fiabilité

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