MOSFET canal N Vishay 227 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SiD

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Code commande RS:
735-139
Référence fabricant:
SIDR626EP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

227A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Série

SiD

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00174Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

68nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

60V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

2mm

Longueur

7mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V, optimisée pour le redressement synchrone à haut rendement dans les solutions de serveur d'alimentation IA. Il fournit une très faible résistance à l'état passant de 1,7 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour minimiser les pertes de conduction dans les applications de convertisseur c. c./c. c. à courant élevé.

Courants nominaux de 50,8 A à TA = 25 °C et 227 A à TC = 25 °C

Réglage pour la valeur RDS(on) x Qoss la plus faible

Testé à 100 % Rg et UIS pour plus de fiabilité

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