MOSFETs simples canal N Vishay 680 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIRS4300DP
- Code commande RS:
- 653-096
- Référence fabricant:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 653-096
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- SIRS4300DP-T1-RE3
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Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 680A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | SIRS4300DP | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00040Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 278W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 84nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Hauteur | 950μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 680A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série SIRS4300DP | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00040Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 278W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 84nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 6.1mm | ||
Hauteur 950μm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors MOSFET simples série SIRS4300DP de Vishay, tension de source de drain maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 680 A - SIRS4300DP-T1-RE3
Ce dispositif MOSFET simple est un semi-conducteur d'amélioration à canal N destiné à la commutation à courant élevé et à la conversion de puissance dans l'électronique industrielle. Il est fourni dans un boîtier PowerPAK à 8 broches pour montage en surface et est adapté aux environnements thermiques et électriques exigeants où une commutation compacte et à faible perte est nécessaire.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 30 V permet des conceptions d'étage de puissance basse tension • Le courant de drain continu de 680 A prend en charge la commutation de charges lourdes • Le Rds(on) de 0,00040 Ω réduit les pertes de conduction pour plus d'efficacité • La charge de grille typique de 84 nC permet des transitions de grille plus rapides • La dissipation de puissance de 278 W gère un débit d'énergie élevé • Fonctionne jusqu'à 150 °C pour les applications à température élevée
Applications
• Convient aux convertisseurs c. c. - c. c. à courant élevé dans les systèmes d'automatisation • Idéal pour les étages de puissance dans les contrôleurs d'entraînement de moteur • Utilisé pour le redressement synchrone dans les modules d'alimentation • Peut être utilisé pour la commutation de charge dans la distribution d'énergie industrielle • Utilisé avec des réseaux parallèles pour les racks d'alimentation des centres de données
Quelle marge d'entraînement de grille est acceptable pour une commutation fiable?
Le dispositif tolère des tensions de grille jusqu'à 20 V
les pilotes de grille sont conçus pour fonctionner dans cette limite et pour atteindre la charge typique de 84 nC pour les vitesses de commutation prévues.
Comment la gestion thermique doit-elle être abordée sur un circuit imprimé?
Compte tenu de la capacité de dissipation de 278 W, utilisez de grandes zones de cuivre, des vias thermiques et un dissipateur thermique direct au tampon exposé PowerPAK pour maintenir les températures de jonction dans les limites.
Peut-il être mis en parallèle pour augmenter la capacité de courant?
Le parallélisation est possible à condition que des Rds(on) correspondants et des mesures de partage de courant appropriées soient mises en œuvre, ainsi qu'une synchronisation soigneuse de l'entraînement de grille pour éviter les déséquilibres.
Quelle plage de température ambiante peut-il tolérer pendant l'entretien?
Le composant est spécifié pour un fonctionnement jusqu'à -55 °C et jusqu'à 150 °C pour les conditions de jonction ou de boîtier telles que définies dans la conception thermique du système.
Quelles sont les considérations relatives à l'emballage qui affectent la densité de la disposition?
Le format à montage en surface PowerPAK à 8 broches permet un placement compact mais nécessite une attention particulière au dissipateur thermique en cuivre et à la largeur de trace pour les chemins à courant élevé.
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