MOSFETs simples canal N Vishay 680 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIRS4300DP

Code commande RS:: 653-095
Référence fabricant:: SIRS4300DP-T1-RE3
Marque:: Vishay

MOSFETs simples canal N Vishay 680 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIRS4300DP

Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*

7 038,00 €

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3000 +	2,346 €	7 038,00 €

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Code commande RS:: 653-095
Référence fabricant:: SIRS4300DP-T1-RE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFETs simples
	Courant continu de Drain maximum Id	680A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	PowerPAK
	Série	SIRS4300DP
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.00040Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	278W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	84nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	5.1mm
	Normes/homologations	RoHS
	Hauteur	950μm
	Longueur	6.1mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de canal N
	Type de produit MOSFETs simples
	Courant continu de Drain maximum Id 680A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier PowerPAK
	Série SIRS4300DP
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.00040Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 278W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 84nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 5.1mm
	Normes/homologations RoHS
	Hauteur 950μm
	Longueur 6.1mm
	Standard automobile Non

Datasheet - SIRS4300DP-T1-RE3

Pays d'origine :: CN

Transistors MOSFET simples série SIRS4300DP de Vishay, tension de source de drain maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 680 A - SIRS4300DP-T1-RE3

Ce dispositif MOSFET simple est un semi-conducteur d'amélioration à canal N destiné à la commutation à courant élevé et à la conversion de puissance dans l'électronique industrielle. Il est fourni dans un boîtier PowerPAK à 8 broches pour montage en surface et est adapté aux environnements thermiques et électriques exigeants où une commutation compacte et à faible perte est nécessaire.

Caractéristiques et avantages :

• La valeur nominale de drain de 30 V permet des conceptions d'étage de puissance basse tension • Le courant de drain continu de 680 A prend en charge la commutation de charges lourdes • Le Rds(on) de 0,00040 Ω réduit les pertes de conduction pour plus d'efficacité • La charge de grille typique de 84 nC permet des transitions de grille plus rapides • La dissipation de puissance de 278 W gère un débit d'énergie élevé • Fonctionne jusqu'à 150 °C pour les applications à température élevée

Applications

• Convient aux convertisseurs c. c. - c. c. à courant élevé dans les systèmes d'automatisation • Idéal pour les étages de puissance dans les contrôleurs d'entraînement de moteur • Utilisé pour le redressement synchrone dans les modules d'alimentation • Peut être utilisé pour la commutation de charge dans la distribution d'énergie industrielle • Utilisé avec des réseaux parallèles pour les racks d'alimentation des centres de données

Quelle marge d'entraînement de grille est acceptable pour une commutation fiable?

Le dispositif tolère des tensions de grille jusqu'à 20 V

les pilotes de grille sont conçus pour fonctionner dans cette limite et pour atteindre la charge typique de 84 nC pour les vitesses de commutation prévues.

Comment la gestion thermique doit-elle être abordée sur un circuit imprimé?

Compte tenu de la capacité de dissipation de 278 W, utilisez de grandes zones de cuivre, des vias thermiques et un dissipateur thermique direct au tampon exposé PowerPAK pour maintenir les températures de jonction dans les limites.

Peut-il être mis en parallèle pour augmenter la capacité de courant?

Le parallélisation est possible à condition que des Rds(on) correspondants et des mesures de partage de courant appropriées soient mises en œuvre, ainsi qu'une synchronisation soigneuse de l'entraînement de grille pour éviter les déséquilibres.

Quelle plage de température ambiante peut-il tolérer pendant l'entretien?

Le composant est spécifié pour un fonctionnement jusqu'à -55 °C et jusqu'à 150 °C pour les conditions de jonction ou de boîtier telles que définies dans la conception thermique du système.

Quelles sont les considérations relatives à l'emballage qui affectent la densité de la disposition?

Le format à montage en surface PowerPAK à 8 broches permet un placement compact mais nécessite une attention particulière au dissipateur thermique en cuivre et à la largeur de trace pour les chemins à courant élevé.