MOSFET canal N Vishay 126 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SiR

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Code commande RS:
735-164
Référence fabricant:
SIR510DP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

126A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

SiR

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0036Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

54nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Tension directe Vf

100V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2mm

Largeur

6mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

7mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V, optimisé pour la commutation à haut rendement dans les convertisseurs DC/DC de serveur d'alimentation AI et les circuits de redressement synchrones. Il atteint une très faible résistance à l'état passant de 1,7 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour des pertes de conduction minimales dans les applications à courant élevé

Courant de drainage continu de 94 A à TA = 25 °C

Charge de grille totale typique de 54,3 nC pour une commutation rapide

Plage de températures de jonction étendue de -55 à +175 °C

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