MOSFET canal N Vishay 100 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SiR
- Code commande RS:
- 735-140
- Référence fabricant:
- SIR626DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 735-140
- Référence fabricant:
- SIR626DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Série | SiR | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0017Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 68nC | |
| Tension directe Vf | 60V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 7mm | |
| Hauteur | 2mm | |
| Largeur | 6mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Série SiR | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0017Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 68nC | ||
Tension directe Vf 60V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 7mm | ||
Hauteur 2mm | ||
Largeur 6mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V, optimisé pour la commutation à haut rendement dans les convertisseurs DC/DC de serveur d'alimentation AI et les circuits de redressement synchrones. Il atteint une très faible résistance à l'état passant de 1,7 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour des pertes de conduction minimales dans les applications à courant élevé
Charge de grille totale typique de 52 nC pour une commutation rapide
Faible RDS(on) x Qg-facteur de mérite
Résistance thermique de jonction à l'environnement maximale de 15 °C/W
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