MOSFET canal N Vishay 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SiR
- Code commande RS:
- 735-146
- Référence fabricant:
- SIR638ADP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
2,84 €
HT
3,41 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,84 € |
| 10 - 24 | 1,84 € |
| 25 - 99 | 1,02 € |
| 100 - 499 | 1,01 € |
| 500 + | 0,98 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 735-146
- Référence fabricant:
- SIR638ADP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Série | SiR | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00088Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tension directe Vf | 40V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 6mm | |
| Longueur | 7mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Série SiR | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00088Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Tension directe Vf 40V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 6mm | ||
Longueur 7mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 2mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 40 V, optimisée pour les convertisseurs c. c./c. c. à haute densité de puissance dans les applications de serveur AI. Il fournit une résistance à l'état passant ultra-faible de 0,88 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour une efficacité de conduction supérieure dans les circuits de redressement synchrones.
Conductance de transmission directe 147S
Charge de grille totale de 110 nC à 10 V VGS
Rapport Qgd/Qgs inférieur à 1 pour une commutation optimisée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 126 A 100 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiR
- MOSFET canal N Vishay 350.8 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiR
- MOSFET canal N Vishay 680 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiR
- MOSFET canal N Vishay 359 A 60 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiR
- MOSFET canal N Vishay 100 A 100 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiR
- MOSFET canal N Vishay 473 A 40 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiR
- MOSFET canal N Vishay 100 A 60 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiR
- MOSFET canal N Vishay 33.8 A 150 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiR