MOSFET de puissance canal N Vishay 20 A 250 V N, 8 broches, PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 851-504
- Référence fabricant:
- SIR692DP-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
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Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
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- Code commande RS:
- 851-504
- Référence fabricant:
- SIR692DP-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.067Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 Qualified | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Longueur | 6.05mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.067Ω | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 Qualified | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Longueur 6.05mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le transistor MOSFET haute performance de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation dans divers systèmes électroniques, garantissant fiabilité et précision dans les applications de commutation.
Utilise la technologie ThunderFET pour un équilibre optimal des valeurs RDS(on), Qg, Qsw et Qoss
Testé à 100 % Rg et UIS garanti pour une fiabilité accrue
Prend en charge une tension drain-source maximale de 250 V
La résistance à l'état passant minimale de 0,063 Ω à une VGS de 10 V garantit une faible perte de puissance
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