MOSFET de puissance canal N Vishay -8 A -20 V P, 8 broches, PowerPAK SI34 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 851-500
- Référence fabricant:
- SI3493DDV-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité, sur un ruban de 1)*
0,77 €
HT
0,92 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,77 € |
| 10 - 99 | 0,53 € |
| 100 - 499 | 0,34 € |
| 500 - 999 | 0,20 € |
| 1000 + | 0,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 851-500
- Référence fabricant:
- SI3493DDV-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -20V | |
| Série | SI34 | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.024Ω | |
| Mode de canal | P | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Longueur | 6.05mm | |
| Largeur | 5.25mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 Qualified | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id -8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -20V | ||
Série SI34 | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.024Ω | ||
Mode de canal P | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 52.2nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Longueur 6.05mm | ||
Largeur 5.25mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 Qualified | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
Transistor MOSFET à canal P hautes performances de Vishay, conçu pour permettre des applications de commutation de puissance efficaces. Ses capacités garantissent un fonctionnement fiable dans des plages de tension et de courant variables.
Le MOSFET à canal P fonctionne efficacement à -20 V avec une faible résistance à l'état passant
Capable de gérer des courants de drain pulsés jusqu'à -32 A pour les applications exigeantes
Courant de drainage continu de -7,5 A à 25 °C facilitant la gestion thermique
Tolérance de tension de la source de la grille de ±8 V pour une durabilité accrue dans divers circuits
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance N Vishay 20 A 250 V N PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance N Vishay 40 A 80 V N PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance N Vishay 45.3 A 70 V N PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance N Vishay 42.3 A 70 V N PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay 65.7 A 60 V Enrichissement PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 130 A 80 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SIR680LDP
- MOSFET N Vishay 186 A 60 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SIR626LDP
- MOSFET N Vishay 208 A 45 V Enrichissement PowerPAK TrenchFET