MOSFET P Vishay 65.7 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 252-0271
- Référence fabricant:
- SIR1309DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 252-0271
- Référence fabricant:
- SIR1309DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 65.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.01mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 54nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 65.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.01mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 54nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La gamme de produits MOSFET Siliconix de Vishay inclut une gamme diversifiée de technologies avancées. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. Le substrat MOSFET à canal P contient des électrons et des trous d'électrons. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'allument lorsque la tension fournie à la borne de grille est inférieure à la tension de source.
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