MOSFET canal N Vishay 27.8 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 Si7456DDP

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

15,12 €

HT

18,15 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Dernier stock RS
  • 850 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +3,024 €15,12 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
787-9244
Référence fabricant:
SI7456DDP-T1-GE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

27.8A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

Si7456DDP

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.031Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.7nC

Tension directe Vf

1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

35.7W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.26mm

Longueur

6.25mm

Hauteur

1.12mm

Normes/homologations

Lead (Pb)-Free

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.