MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 TrenchFET

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Code commande RS:
735-115
Référence fabricant:
SIRA14BDP-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0105Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12.2nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

17W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.25mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Largeur

5.3mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TW
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