MOSFET canal N Vishay 60 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 TrenchFET
- Code commande RS:
- 735-112
- Référence fabricant:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 735-112
- Référence fabricant:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.005Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24.1nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 43W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.3mm | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.005Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24.1nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 43W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.3mm | ||
Longueur 6.25mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une commutation de puissance efficace et fiable dans l'électronique de puissance haute performance. Il est entièrement testé Rg et UIS pour garantir la robustesse sous contrainte électrique et dans des conditions de fonctionnement exigeantes. Optimisé pour de faibles pertes et une commutation rapide, il prend en charge des conceptions compactes à haute densité de puissance tout en répondant aux exigences RoHS et sans halogène.
Offre des tests à 100 % Rg et UIS pour une fiabilité éprouvée de l'appareil
Prend en charge les applications de convertisseur c. c./c. c. à haute densité de puissance
Permet des performances de redressement synchrone efficaces
Conforme aux normes RoHS et aux exigences sans halogène
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