MOSFET canal N Vishay 74 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 TrenchFET

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Code commande RS:
735-113
Référence fabricant:
SiRA12BDP-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

74A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.006Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

21nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

38W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.25mm

Largeur

5.3mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TW
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une commutation de puissance efficace et fiable dans l'électronique de puissance haute performance. Il est entièrement testé Rg et UIS pour garantir la robustesse sous contrainte électrique et dans des conditions de fonctionnement exigeantes. Optimisé pour de faibles pertes et une commutation rapide, il prend en charge des conceptions compactes à haute densité de puissance tout en répondant aux exigences RoHS et sans halogène.

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