MOSFET canal N Vishay 265 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SiR

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Code commande RS:
735-133
Référence fabricant:
SIRS5800DP-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

265A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

SiR

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0018Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

81nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

240W

Tension directe Vf

80V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6mm

Largeur

5mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

2mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 80 V, optimisé pour le redressement synchrone à faible perte dans les convertisseurs buck de serveur d'alimentation AI. Il atteint une résistance à l'état passant de 1,8 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour un rendement supérieur dans des conditions de charge élevée.

Courant assigné de drain par impulsion de 265 A

Charge de grille totale typique de 81 nC

Résistance thermique de 52 °C/W de la jonction au boîtier

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