MOSFET canal N Vishay 130 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SIR680LDP
- Code commande RS:
- 736-348
- Référence fabricant:
- SIR680LDP-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
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Ruban(s) | le ruban |
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- Code commande RS:
- 736-348
- Référence fabricant:
- SIR680LDP-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 130A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | SIR680LDP | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0028Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 40nC | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 130A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série SIR680LDP | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0028Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 40nC | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.15mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications. Il fonctionne efficacement à 80 V et excelle dans les tâches de redressement synchrone et de commutation d'entraînement de moteur.
Doté d'une technologie trenchFET Gen IV pour un meilleur rendement énergétique
Affiche un RDS(on) très faible de 0,0028 Ω à 10 V, garantissant des pertes de conduction minimales
Conçu pour un courant de drainage continu de 130 A, ce qui le rend adapté aux applications exigeantes
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