MOSFET canal N Vishay 130 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SiR680LDP

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210-5003
Référence fabricant:
SIR680LDP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

130A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

SiR680LDP

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

2.33mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

90nC

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.26mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.25mm

Hauteur

1.12mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET Vishay à canal N 80 V (D-S) est doté d'un boîtier PowerPAK SO-8 avec un courant de drain de 130 A.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV

Très faible facteur de mérite RDS - Qg (FOM)

Réglé pour le plus faible facteur de mérite RDS - Qoss

Testé à 100 % Rg et ISU

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