MOSFET canal N Vishay 130 A 60 V Épuisement, 8 broches, PowerPAK SO-8 AEC-Q101

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Code commande RS:
239-8641
Référence fabricant:
SIR182LDP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum (Id)

130 A

Tension Drain Source maximum (Vds)

60 V

Mode de canal

Épuisement

Nombre de broches

8

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Standard automobile

AEC-Q101

Résistance Drain Source maximum (Rds)

0.00315 Ω

Tension maximale de source de la grille (Vgs)

20 V

Température d'utilisation maximum

125 °C

Dissipation de puissance maximum (Pd)

83 W

Température minimum de fonctionnemen

-55 °C

Type de montage

En surface

Normes/homologations

No

Charge de porte typique (Qg) @ Vgs

56 nC

Largeur

5.15 mm

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

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