MOSFET canal N Vishay 42.4 A 60 V Épuisement, 8 broches, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 239-8655
- Référence fabricant:
- SIR576DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 239-8655
- Référence fabricant:
- SIR576DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 42.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.02Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 56nC | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 42.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.02Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Largeur 5.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le TrenchFET® de Vishay est un transistor MOSFET à canal N de puissance automobile Gen IV qui fonctionne à 150 V. Ce transistor MOSFET est utilisé pour l'alimentation, la commande d'entraînement de moteur et le redressement synchrone.
Très faible résistance
testée UIS
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