MOSFET canal N Vishay 42.4 A 60 V Épuisement, 8 broches, PowerPAK SO-8 AEC-Q101

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Code commande RS:
239-8656
Référence fabricant:
SIR576DP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

42.4A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.02Ω

Mode de canal

Épuisement

Dissipation de puissance maximum Pd

83W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

56nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

125°C

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le TrenchFET® de Vishay est un transistor MOSFET à canal N de puissance automobile Gen IV qui fonctionne à 150 V. Ce transistor MOSFET est utilisé pour l'alimentation, la commande d'entraînement de moteur et le redressement synchrone.

Très faible résistance

testée UIS

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