MOSFETs simples canal N Vishay 63 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SISS32LDN
- Code commande RS:
- 653-103
- Référence fabricant:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 986,00 €
HT
2 382,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,662 € | 1 986,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 653-103
- Référence fabricant:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 63A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | SISS32LDN | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0072Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65.7W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 750μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 63A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série SISS32LDN | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0072Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65.7W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 750μm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Transistors MOSFET simples série SISS32LDN de Vishay, tension de source de drain maximale de 80 V, courant de drain continu maximum de 63 A - SISS32LDN-T1-BE3
Caractéristiques et avantages :
Applications
Quelles sont les limites de tension de grille que les concepteurs doivent respecter?
Quelles sont les considérations thermiques qui s'appliquent lors de la disposition des circuits imprimés?
Quel est l'impact du comportement de commutation sur les émissions électromagnétiques?
Quelles sont les conditions ambiantes extrêmes que l'appareil peut tolérer pendant le fonctionnement?
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