MOSFETs simples canal N Vishay 63 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SISS32LDN
- Code commande RS:
- 653-104
- Référence fabricant:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 653-104
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- Marque:
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Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 63A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | SISS32LDN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0072Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65.7W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 0.75mm | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 63A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série SISS32LDN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0072Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65.7W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 0.75mm | ||
Longueur 3.3mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Transistors MOSFET simples série SISS32LDN de Vishay, tension de source de drain maximale de 80 V, courant de drain continu maximum de 63 A - SISS32LDN-T1-BE3
Ce dispositif MOSFET simple est un transistor à canal N à courant élevé conçu pour la commutation d'alimentation à montage en surface dans l'électronique industrielle. Il fonctionne comme un MOSFET en mode d'amélioration adapté aux applications d'entraînement et de commutation où une tension drain-source élevée et une gestion robuste du courant sont requises. Le composant est fourni dans un boîtier PowerPAK compact destiné à l'assemblage SMD et est conforme aux exigences RoHS.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 80 V permet une capacité de commutation haute tension • Le courant de drainage continu de 63 A prend en charge la conduction de charges lourdes • Le faible RDS(on) de 0,0072 Ω minimise les pertes de conduction sous charge • La dissipation de puissance de 65,7 W permet un débit thermique soutenu • La charge de grille typique de 17,7 nC fournit une énergie de commutation contrôlée • La température de fonctionnement maximale de 150 °C permet un fonctionnement à haute température
Applications
• Convient aux étages de demi-pont d'entraînement de moteur dans les systèmes d'automatisation • Idéal pour les convertisseurs c. c. - c. c. dans les modules de distribution d'alimentation • Utilisé pour la commutation de charge dans les équipements de commande industriels • Peut être utilisé pour la gestion des batteries et la distribution de courant élevé
Quelles sont les limites de tension de grille que les concepteurs doivent respecter?
La tension grille-source ne doit pas dépasser ±20 V pour éviter les contraintes diélectriques de grille.
Quelles sont les considérations thermiques qui s'appliquent lors de la disposition des circuits imprimés?
Compte tenu de la valeur nominale de dissipation de 65,7 W, les concepteurs doivent fournir une zone de cuivre et des vias thermiques adéquates pour la propagation de la chaleur et se connecter à un plan de dissipation thermique si nécessaire.
Quel est l'impact du comportement de commutation sur les émissions électromagnétiques?
La charge de grille de 17,7 nC influence les temps de montée et de descente
le contrôle des vitesses de balayage de l'entraînement de grille et l'ajout de snubbers permettent de gérer les transitoires de commutation et les IEM.
Quelles sont les conditions ambiantes extrêmes que l'appareil peut tolérer pendant le fonctionnement?
Il est spécifié pour une utilisation jusqu'à une température de jonction de -55 °C et jusqu'à 150 °C pour une compatibilité environnementale étendue.
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