MOSFET 2 canal N Double Vishay 257 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAIR 6 x 5F TrenchFET Non

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Code commande RS:
228-2941
Référence fabricant:
SiZF906BDT-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

257A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

PowerPAIR 6 x 5F

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0021Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

25nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

83W

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Normes/homologations

RoHS

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET 30 V (D-S) double canal N de Vishay.

Testé à 100 % Rg et ISU

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